按应用领域分 《br》集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。 《br》按外形分 《br》集成电路按外形可分为圆形(金属外壳晶体管封装型,一般适合用于大功率)、扁平型(稳定性好,体积小)和双列直插型。 《br》 《br》世界集成电路发展历史 《br》1947年:贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑; 《br》1950年:结型晶体管诞生 《br》1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺 《br》1951年:场效应晶体管发明 《br》1956年:C S Fuller发明了扩散工艺 《br》1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史; 《br》1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺 《br》1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管 《br》1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,如今,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺 《br》1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍 《br》1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门),为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础,具有里程碑意义 《br》1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司 《br》1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现 《br》1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明 《br》1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802 《br》1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世 《br》1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临 《br》1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC 《br》1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世 《br》1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM 《br》1985年:80386微处理器问世,20MHz 《br》1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段 《br》 《br》 国家工信安全中心主要开展电子元器件符号及图片、电子元器件匪类、电子元器件采购明细、青岛电子元器件等项目运营。在项目高速发展的同时，国家工信安全中心始终强调外部机会与内部管理的平衡，十分注重企业核心竞争力的培养和塑造。公司将客户服务价值作为企业的核心竞争力，秉承“诚信正直、尊重个人”的企业精神，努力为客户提供诚信可靠的集成电路。
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